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论文类型：期刊论文

发表时间：2016-10-15

发表刊物：真空科学与技术学报

收录刊物：Scopus、PKU、CSCD

卷号：36

期号：10

页面范围：1092-1098

ISSN号：1002-0322

关键字：AlN薄膜;择优取向;红外吸收光谱;RF反应磁控溅射

摘要：采用RF反应磁控溅射在Si(111)基片上制备了多晶AlN薄膜,研究了工作气压对AlN薄膜晶面择优取向的影响.利用台阶仪、X射线衍射(XRD)、红外吸收光谱(FTiR)对AlN薄膜的沉积速率、晶体结构、化学结构及成分进行了表征.结果表明:工作气压对AlN薄膜晶面择优取向具有十分显著的影响,当工作气压低于0.6 Pa时,薄膜呈现(002)晶面择优取向;当气压增加到1 Pa时,AlN薄膜呈现(100),(002)混合晶面取向;当工作气压为1.5 Pa时,(002)晶面衍射峰消失,薄膜呈现(100)晶面择优取向.根据分析结果,提出了工作气压对AlN薄膜择优取向的影响机制,其次,在AlN薄膜的FTIR光谱中,Al-N键振动在波数为678 cm-1处有强烈的吸收峰,Al-N振动吸收峰包含A1(TO)模式以及E1(TO)模式,分别位于612,672cm-1附近,A1(TO)模式与E1(TO)模式振动吸收峰的积分面积之比与AlN薄膜的择优取向有关.结果显示FTIR技术可以作为XRD的补充手段,用于表征多晶AlN薄膜的择优取向.