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发布时间：2019-03-10

论文类型：期刊论文

发表时间：2010-08-28

发表刊物：原子与分子物理学报

收录刊物：CSCD、ISTIC、PKU

卷号：27

期号：4

页面范围：795-800

ISSN号：1000-0364

关键字：紧束缚模型;CdTe;HgTe;电子结构

摘要：基于局域密度近似(LDA或GGA)的密度泛函理论计算往往低估体系的禁带宽度,而这一低估对窄带隙半导体尤为严重.尽管基于混合泛函的密度泛函理论能有效地修正这一误差,但是由于计算量较大仍无法用于计算较大体系.本文发展了一组能够比较准确描述CdTe和HgTe晶体电子结构的紧束缚参数.将基于混合泛函的密度泛函计算结果作为输入,我们构建了正交的sp3s*基组下的紧束缚模型. 此模型能够比较准确地描述能带结构在费米面附近4 eV范围内的色散关系.利用当前模型计算了CdTe和HgTe非晶的电子态密度,计算结果与他人的理论计算和实验值符合较好.