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个人信息Personal Information
教授
博士生导师
硕士生导师
性别:男
毕业院校:大连理工大学
学位:博士
所在单位:机械工程学院
学科:机械制造及其自动化
办公地点:机械工程学院高性能制造研究所#5015室
联系方式:手机:15104088992
电子邮箱:gaoshang@dlut.edu.cn
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硅片超精密磨削减薄工艺基础研究
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论文类型:期刊论文
发表时间:2015-04-05
发表刊物:机械工程学报
收录刊物:PKU、ISTIC
期号:7
页面范围:52-52
ISSN号:0577-6686
关键字:超精密磨削;金刚石砂轮;亚表面损伤;工艺基础;电子产品;主要发展趋势;叠层;空间占用;砂轮磨削;三维立体;
摘要:电子产品对高性能、多功能、小型化和低成本的需求推动了集成电路(IC)制造技术的高速发展,特别是便携式电子产品的飞速发展对IC封装技术提出了越来越高的要求,其中,叠层三维立体封装技术由于其空间占用小,电性能稳定、成本低等优点成为未来的主要发展趋势。在封装整体厚度不变甚至减小的趋势下,要增加堆叠层数,必须对各层硅片进行背面减薄,且要求减薄硅片具有高面型精度、无表面/亚表面损伤。目前,采用金刚石砂轮的超精密磨削技术在硅片的背面减薄加工中得到广泛应用,但是,随着硅片尺寸和原始厚度的增大以及减薄厚度的减小,超精密磨削减薄技术面临着表面层损伤、弯曲/翘曲变形、加工效率等问题。因此,面向IC封装技术对超薄硅片的需求,以提高硅片表面层质量、面型精度和减薄效率为目的,本文深入研究了金刚石砂轮磨削减薄硅片的亚表面损伤特性、变形机理和崩边规律以及采用软磨料砂轮的机械化学磨削技术,对于实现硅片的高效率、低损伤、超薄化磨削加工具有重要的指导意义。论文的主要研究内容和结论如下。