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个人信息Personal Information
教授
博士生导师
硕士生导师
性别：男
毕业院校：清华大学
学位：博士
所在单位：控制科学与工程学院
学科：微电子学与固体电子学. 凝聚态物理. 控制理论与控制工程
电子邮箱：dwang121@dlut.edu.cn
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用XPS法研究SiO2/4H-SiC界面的组成
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论文类型：期刊论文
发表时间：2008-02-03
发表刊物：半导体技术
收录刊物：PKU、ISTIC、CSCD
卷号：33
期号：2
页面范围：121-125
ISSN号：1003-353X
关键字：二氧化硅/碳化硅;4H-碳化硅;X射线光电子谱;超薄氧化膜
摘要：利用X射线光电子谱(XPS)研究了高温氧化形成的SiO2/4H-SiC界面的化学组成.获取低浓度HF酸刻蚀速度基础上制备出超薄氧化膜(1～1.5 nm)样品,并借助标准物对照法辅助谱峰分析.结果表明,高温氧化SiO2/4H-SiC界面,类石墨碳较多,除Si1+成分外,还存在Si2+和Si3+两种低值氧化物.三种工艺处理后界面成分含量的对比,指出界面成分可通过合理工艺有效控制,以C-V测试曲线印证了界面成分减少对电学特性的改善.