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PPy/APS-SiO<,2>纳米导电复合材料的合成与表征

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Indexed by:会议论文

Date of Publication:2001-01-01

Page Number:F92-F95

Key Words:聚吡咯 二氧化硅 纳米复合材料 硅烷偶联剂 电导率

Abstract:首先用不同百分含量的氨丙基三乙氧基硅烷(APS)处理SiO<,2>,然后以水为反应介质,通过化学聚合方法合成的PPy/APS-SiO<,2>纳米复合材料,并利用红外光谱、热失重分析、X-射线光电子能谱(XPS)、透射电镜和四探针等手段进行表征.结果表明,PPy/APS-SiO<,2>表面富有PPy,而PPy/SiO<,2>表面富有SiO<,2>.其中用PPy/1℅APS-SiO<,2>复合材料的电导率最高,为38.46S/cm,达到公开报道的最高值.

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