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Indexed by: Conference Paper

Date of Publication: 2013-08-15

Page Number: 158-158

Key Words: 等离子体刻蚀;脉冲调制;PIC/MCC;刻蚀工艺;等离子体源;容性耦合;刻蚀速率;等离子体密度;下降沿;脉冲周期;

Abstract: 引言芯片刻蚀工艺中,随着晶圆面积的加大,刻蚀槽特征尺寸的减小和深宽比的增加,等离子体刻蚀的选择性和刻蚀槽轮廓等都难以得到保证。脉冲调制等离子体是解决这些问题的一种有效途径。因此近年来,等离子体源的脉冲调制引起研究人员的广泛兴趣。