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Indexed by:会议论文
Date of Publication:2013-08-15
Page Number:285-285
Key Words:容性耦合;能量分布;角分布;刻蚀工艺;离子能量;电离子;离子通量;鞘层;高能区;碰撞截面;
Abstract:引言双频容性耦合等离子体由于其能独立控制入射到处理器件表面的离子通量和能量而被广泛的应用到微电子刻蚀工艺中,刻蚀的效果主要取决于离子能量和角分布情况,所以研究离子能量和角分布对刻蚀工艺至关重要。
Pre One:脉冲调制容性耦合等离子体PIC/MCC模拟
Next One:强流质子束与固体靶相互作用过程的模拟研究
