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带柱形凹槽电极表面双频偏压等离子体鞘层物理特性的研究

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Indexed by:会议论文

Date of Publication:2009-07-20

Page Number:2

Key Words:等离子体鞘;等离子体密度;频偏;离子能量;微机电系统;离子密度;电容耦合;自偏压;定标关系;超松弛;

Abstract:在大规模集成电路和微机电系统制造中,等离子体刻蚀工艺已经成为关键技术。双频电容耦合等离子体(dual frequency capcitive coupled plasma-DFCCP)刻蚀的优势是可以实现对等离子体密度和能量的独立控制,既可以提高等离子体密度提高刻蚀率,又可

Pre One:容性耦合等离子体电子加热模式分析

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