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Indexed by: Conference Paper

Date of Publication: 2011-08-08

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Key Words: 容性耦合;等离子体源;驱动频率;表面处理工艺;薄膜沉积;半导体芯片;等离子体密度;沉积速率;活性粒子;平行板;

Abstract: 平行板式的低气压容性耦合等离子体源(Capacitively Coupled Plasma,CCP)由于设备结构简单,空间均匀性好等特点,已广泛地应用于材料表面处理工艺中,如半导体芯片刻蚀及薄膜沉积、薄膜硅太阳能电池制备等工艺。为了提高材料表面处理的效率,如提高芯片的刻蚀率和薄膜的沉积速率,目前工业界中趋向于通过提高电源的驱动频率来实现。电源的驱动频率从传统的射频(13.56MHz)到几