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论文类型：会议论文

发表时间：2013-08-15

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关键字：Ar/O_2;PIC/MCC;薄膜沉积;材料薄膜;工艺气体;靶材;离子密度;薄膜材料;电子密度;自偏压;

摘要：引言磁控放电技术广泛地应用于薄膜沉积领域中,其一般施加几百高斯的磁场约束电子进而提高等离子体密度。传统的直流磁控等离子体因只能溅射金属靶材在许多领域中受到限制,射频磁控放电技术则有效地改善了这一弊端。近些年来,随着薄膜材料日新月异地发展以及半导体材料薄膜的大量需求,反应性气体如O_2,Cl_2等作为工艺气体得到了广泛地关注。因此,针对射频磁控Ar/O2混合等离子体的模拟工作显得尤其必要。