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论文类型：期刊论文

发表时间：2004-08-01

发表刊物：物理学报

收录刊物：SCIE、PKU、ISTIC、CSCD

卷号：53

期号：8

页面范围：2666-2669

ISSN号：1000-3290

关键字：等离子体浸没离子注入;脉冲鞘层;绝缘介质;充电效应

摘要：针对等离子体浸没离子注入技术在绝缘体表面制备硅薄膜工艺,采用一维脉冲鞘层模型描述介质靶表面的充电效应对鞘层厚度、注入剂量及靶表面电位等物理量的影响.数值模拟结果表明:随着等离子体密度的增高,表面的充电效应将导致鞘层厚度变薄、表面电位下降以及注入剂量增加,而介质的厚度对鞘层特性的影响则相对较小.