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Indexed by:会议论文

Date of Publication:2006-08-21

Page Number:328-332

Key Words:Ge2Sb2Te5薄膜;射频磁控溅射;表面形貌;薄膜反射率;生长温度

Abstract:本文采用射频磁控溅射方法,分别在玻璃和具有本征氧化层的Si(100)基片上制备了Ge2Sb2Te5相变薄膜.利用X射线衍射仪、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、紫外分光光度计等对薄膜进行了表征,研究了不同生长温度(室温～300℃)的Ge2Sb2Te5薄膜的表面形貌和结晶特性.分析结果表明:室温沉积的薄膜为非晶态;沉积温度为100℃～250℃时,薄膜转变为晶粒尺度约14 nm的面心立方结构;300℃～350℃沉积的薄膜有少量的六方相出现.薄膜表面粗糙度随着沉积温度的升高逐渐递增,且薄膜的反射率变化与表面粗糙度有直接的关系.