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Indexed by:会议论文
Date of Publication:2013-08-15
Page Number:1
Key Words:容性耦合;SiH_4/N_2/O_2;二维流;脉冲调制;等离子体放电;电子温度;放电模式;材料处理;刻蚀速率;电子密度;
Abstract:近年来,在射频等离子体放电中引入脉冲调制技术成为新的研究热点。与连续射频放电模式相比,脉冲调制放电可以降低基板温度,改善沉积和刻蚀速率,而且电源关闭以后,电子温度下降较快,等离子体中的负离子也可以逃离主等离子体区。所以对于电负性等离子体,可以减少基板电荷积累,还可以有效抑制不必要的尘埃颗粒生长。这些特点若被有效利用将有益于材料处理。
