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Indexed by:会议论文
Date of Publication:2013-08-15
Page Number:1
Key Words:容性耦合;Ar/CF_4;不均匀性;半导体集成电路;物理化学过程;微电子器件;鞘层;特征尺度;电子温度;制造工艺;
Abstract:引言经过近几十年的快速发展,半导体集成电路中微电子器件制造工艺的特征尺度己小于几十纳米。在这样的尺度下,依赖深宽比的刻蚀(ARDE),微负载(micro loading),旁刻(notching)等微观不均匀性制约了特征尺度的进一步减小。碳氟基气体放电等离子体常用于SiO_2介质刻蚀中,其表面反应的物理化学过程复杂,需要通过优化工艺
