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个人信息Personal Information
教授
博士生导师
硕士生导师
性别：女
毕业院校：大连理工大学
学位：博士
所在单位：物理学院
学科：等离子体物理
办公地点：物理学院305
联系方式：0411-84707939
电子邮箱：songyh@dlut.edu.cn
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低气压射频及甚高频容性耦合等离子体源的发展趋势及相关物理问题
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论文类型：会议论文
发表时间：2011-08-08
页面范围：1
关键字：容性耦合;等离子体源;驱动频率;表面处理工艺;薄膜沉积;半导体芯片;等离子体密度;沉积速率;活性粒子;平行板;
摘要：平行板式的低气压容性耦合等离子体源(Capacitively Coupled Plasma,CCP)由于设备结构简单,空间均匀性好等特点,已广泛地应用于材料表面处理工艺中,如半导体芯片刻蚀及薄膜沉积、薄膜硅太阳能电池制备等工艺。为了提高材料表面处理的效率,如提高芯片的刻蚀率和薄膜的沉积速率,目前工业界中趋向于通过提高电源的驱动频率来实现。电源的驱动频率从传统的射频(13.56MHz)到几