Release Time:2019-10-10  Hits:

Indexed by: Journal Article

Date of Publication: 2003-05-01

Journal: 物理学报

Included Journals: CSCD、ISTIC、PKU、SCIE

Volume: 52

Issue: 5

Page Number: 1240-1244

ISSN: 1000-3290

Key Words: AlN;氢等离子体清洗;氮化;GaN

Abstract: 采用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在c轴取向的蓝宝石即α-Al2O3(0001)衬底上,以氮化镓(GaN)缓冲层和外延层作为初始层,分别以高纯氮气(N2)和三甲基铝(TMAl)为氮源和铝源低温生长氮化铝(AlN)薄膜.并利用反射高能电子衍射(RHEED)、原子力显微镜(AFM)和x射线衍射(XRD)等测量结果,研究了氢等离子体清洗、氮化和GaN初始层对六方AlN外延层质量的影响,从而获得解理性与α-Al2O3衬底一致的六方相AlN单晶薄膜,其XRD半高宽为12弧分.