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Associate Professor Supervisor of Master's Candidates
Paper Publications
- [1] Mu Zongxin.李国卿,Qin Fuwen,黄开玉,车德良.非平衡磁控溅射系统离子束流磁镜效应模型[J],物理学报,2022,54(3):1378-1384
- [2] Jiming Bian.张志坤,Qin Fuwen,章俞之,刘维峰,Luo Yingmin,杜国同.高热导石墨衬底上的ZnO基MOS器件生长及表征[A],中国物理学会;中国稀土学会,2022:212-212
- [3] 崔洪涛.John Wu,Qin Fuwen,Yi Tan,闻立时,姜辛.升级冶金级Si衬底上ECR-PECVD沉积多晶Si薄膜[J],半导体技术,2022(2):117-120
- [4] 辛萍.孙成伟,Qin Fuwen,文胜平,Zhang Qingyu.反应磁控溅射ZnO/MgO多量子阱的光致荧光光谱分析[J],物理学报,2022(2):1082-1087
- [5] Qin Fuwen.在镀铝玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜的结晶特性[A],2008中国材料研讨会，广州，2008年11月20日－24日：E3-24，104,2022:104-104
- [6] 刘胜芳.Qin Fuwen,John Wu,姜辛,xuyin,gubiao.在镀铝玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜的结晶特性[J],半导体光电,2022(4):557-562
- [7] 刘国涛.徐茵,顾彪,Qin Fuwen,周智猛.在GaAs衬底表面生长GaN过程中的氮化新方法[J],半导体光电,2022,24(1):45-47
- [8] 宋世巍.Qin Fuwen,John Wu,何欢,王叶安,姜辛,xuyin,gubiao.基于ECR-PEMOCVD生长的稀磁半导体(Ga,Mn)N的特性[J],功能材料,2022(9):1473-1476
- [9] 郎佳红.Qin Fuwen,顾彪.基于RHEED图像外延GaN基薄膜表面晶格演变分析[J],安徽工业大学学报 自然科学版,2022,24(1):67-71
- [10] 郎佳红.Qin Fuwen,gubiao.基于双热电偶校准ECR-PEMOCVD薄膜生长温度分析研究[J],红外技术,2022,29(2):79-82