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Indexed by:期刊论文
Date of Publication:2002-03-15
Journal:材料导报
Included Journals:ISTIC、CSCD
Volume:16
Issue:1
Page Number:31-35
ISSN No.:1005-023X
Key Words:GaN;外延生长;掺杂;半导体器件
Abstract:GaN具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速度大和介电常数小等特点,在高亮度发光二极管、短波长激光二板管、高性能紫外探测器和高温、高频、大功率半导体器件等领域有着广泛的应用前景.介绍了GaN基半导体材料的制备方法,异质结构以及在光电子和微电子器件领域的应用,并讨论了今后的发展趋势.
