Release Time:2019-10-10  Hits:

Indexed by: Journal Article

Date of Publication: 2002-03-15

Journal: 材料导报

Included Journals: CSCD、ISTIC

Volume: 16

Issue: 1

Page Number: 31-35

ISSN: 1005-023X

Key Words: GaN;外延生长;掺杂;半导体器件

Abstract: GaN具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速度大和介电常数小等特点,在高亮度发光二极管、短波长激光二板管、高性能紫外探测器和高温、高频、大功率半导体器件等领域有着广泛的应用前景.介绍了GaN基半导体材料的制备方法,异质结构以及在光电子和微电子器件领域的应用,并讨论了今后的发展趋势.