Release Time:2019-03-10  Hits:

Indexed by: Journal Article

Date of Publication: 2009-12-25

Journal: 固体电子学研究与进展

Included Journals: Scopus、CSCD、ISTIC、PKU

Volume: 29

Issue: 4

Page Number: 621-625

ISSN: 1000-3819

Key Words: 碳化硅 碳化钛 电子回旋共振氢等离子体 欧姆接触 比接触电阻 SiC TiC electronic cyclotron resonance hydrogen plasma ohmic contact specific contact resistivity

Abstract: 利用电子回旋共振(ECR)氢等离子体处理n型4H-SiC(0.5～1.5×10~(19)cm~(-3))表面,采用溅射法制备碳化钛(TiC)电极,并在低温(<800℃)条件下退火.直线传输线模型(TLM)测试结果表明,TiC电极无需退火即可与SiC形成欧姆接触,采用ECR氢等离子体处理能明显降低比接触电阻,并在600℃退火时获得了最小的比接触电阻2.45×10~(-6)Ω·cm~2;当退火温度超过600℃时,欧姆接触性能开始退化,但是比接触电阻仍然低于未经氢等离子体处理的样品,说明ECR氢等离子体处理对防止高温欧姆接触性能劣化仍有明显的效果.利用X射线衍射(XRD)分析了不同退火温度下TiC/SiC界面的物相组成,揭示了电学特性与微观结构的关系.