Release Time:2019-03-10  Hits:

Indexed by: Journal Article

Date of Publication: 2009-09-25

Journal: 固体电子学研究与进展

Included Journals: Scopus、CSCD、ISTIC、PKU

Volume: 29

Issue: 3

Page Number: 334-338,416

ISSN: 1000-3819

Key Words: 碳化硅;氢等离子体;电子回旋共振等离子体;反射式高能电子衍射;X射线光电子能谱

Abstract: 采用电子回旋共振(ECR)氢等离子体对n型4H-SiC(0001)表面进行处理,并利用原位高能电子衍射(RHEED)对处理过程进行实时监控.在200℃～700℃温度范围内获得的RHEED图像成条纹状且对比清晰,表明SiC表面原子排列规则,单晶取向性好,计算表明表面未发生重构.用X射线光电子能谱(XPS)技术对表面成分进行分析,结果显示,表面C/C-H污染物被去除、氧含量降低.