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Indexed by:期刊论文

Date of Publication:2009-09-25

Journal:固体电子学研究与进展

Included Journals:PKU、ISTIC、CSCD、Scopus

Volume:29

Issue:3

Page Number:334-338,416

ISSN No.:1000-3819

Key Words:碳化硅;氢等离子体;电子回旋共振等离子体;反射式高能电子衍射;X射线光电子能谱

Abstract:采用电子回旋共振(ECR)氢等离子体对n型4H-SiC(0001)表面进行处理,并利用原位高能电子衍射(RHEED)对处理过程进行实时监控.在200℃～700℃温度范围内获得的RHEED图像成条纹状且对比清晰,表明SiC表面原子排列规则,单晶取向性好,计算表明表面未发生重构.用X射线光电子能谱(XPS)技术对表面成分进行分析,结果显示,表面C/C-H污染物被去除、氧含量降低.