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Indexed by:期刊论文

Date of Publication:2009-09-15

Journal:真空科学与技术学报

Included Journals:EI、PKU、ISTIC、CSCD、Scopus

Volume:29

Issue:5

Page Number:479-483

ISSN No.:1672-7126

Key Words:碳氮薄膜;薄膜结构;介质阻挡放电;FTIR;AFM;Raman

Abstract:使用自行设计的真空系统,采用介质阻挡放电等离子体增强化学气相沉积(DBD-PECVD)法,分别以CH4/N2、C2H2/N2、C2H4/N2混合气体作为反应气体,在单晶硅片上成功制备了CN薄膜.FTIR结果证实了薄膜中碳氮原子结合成化学键,Raman结果说明薄膜中含有类金刚石结构,AFM结果表明薄膜粗糙度随放电气压的升高而逐渐增大.三种混合气体沉积的CN薄膜,以CH4/N2的沉积速度最慢,薄膜表面粗糙度最小,含H量最少;C2H2/N2的沉积速度最快,薄膜表面粗糙度最大.