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Indexed by:期刊论文

Date of Publication:2009-07-03

Journal:半导体技术

Included Journals:PKU、ISTIC、CSCD

Volume:34

Issue:7

Page Number:679-683,714

ISSN No.:1003-353X

Key Words:表面光伏谱;光电材料;太阳能电池

Abstract:利用表面光伏谱可测光电材料的禁带宽度、导电类型、表面态能级和少数栽流子扩散长度等.分析了表面光伏技术的非破坏性、快速和高灵敏度等方面的优点,指出它可以在一个合适的温度范围内对任何环境下的任何半导体材料进行测量分析.研究表明,随着激光光源的应用、微弱信号检测水平的提高和计算机技术的发展,表面光伏技术的测量精度越来越高,可更加准确地分析半导体的能级结构和电子跃迁转移现象,因此必然会在光电材料与器件的研究中得到更为方泛的应用.