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Indexed by:会议论文

Date of Publication:2008-10-01

Volume:Vol.39

Page Number:3

Key Words:硅纳米线;TiO_2;光催化

Abstract:采用水热刻蚀法在硅片上制备了硅纳米线(SiNW)阵列,然后用化学气相沉积法在SiNW上包覆TiO_2;并且在Si片上直接沉积了TiO_2作为对比。用扫描电镜观察了SiNW和SiNW-TiO_2的形貌。X射线衍射(XRD)表明,TiO_2为锐铁矿相,沿(101)和(200)晶面优势生长。在0.01mol/L Na_2SO_4溶液中测量了SiNW-TiO_2和Si-TiO_2的光电流,在紫外光照射下,SiNW-TiO_2的光电流是Si-TiO_2的2倍以上。以苯酚为目标物测试SiNW-TiO_2复合催化剂的光催化性能,在光强2.0mW,偏压1.0V条件下,25ml初始浓度为5mg/L的苯酚被1cm~2的SiNW-TiO_2在120min内完全降解;同样条件下,使用Si-TiO_2时苯酚的降解率是81.4%。