Current position: Home >> Scientific Research >> Patents

一种具有纳米带阵列结构的氧化钨材料及其制备方法

Release Time:2019-09-21  Hits:

First Author: 全燮

Disigner of the Invention: 陈硕,Zhao Huimin,王华

Application Number: CN200610048073.3

Authorization Date: 2006-10-19

Authorization Number: CN1935671

Prev One:一种新型臭氧氧化催化剂及其制备方法

Next One:四环素分子印迹聚合物膜电极的热聚合制备方法