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Indexed by:期刊论文

Date of Publication:2008-10-03

Journal:半导体技术

Included Journals:PKU、ISTIC、CSCD

Volume:33

Issue:10

Page Number:876-879,926

ISSN No.:1003-353X

Key Words:硅片;自旋转磨削;损伤分布

Abstract:为了更好地评价大直径Si片磨削加工损伤深度的大小和分布,提高下道抛光工序的效率,采用角度抛光法和方差分析法研究了Si片表面的损伤分布.结果表明,采用自旋转磨削方式磨削的Si片表面的损伤分布不均匀,沿圆周方向在(110)晶向处的损伤深度比在(100)晶向处的损伤深度大,沿半径方向从圆心到边缘损伤深度逐渐增大,损伤深度的最大差值约为2.0um.该分布规律对检测损伤深度时样品采集位置的选取及提高抛光加工效率均有重要的指导意义.