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Indexed by:会议论文
Date of Publication:2004-06-16
Page Number:280-285
Key Words:化学机械抛光;运动形式;硅片内非均匀性;磨粒轨迹
Abstract: 本文分析了目前几种常见的化学机械抛光(CMP)机中抛光头与抛光垫的运动关系,针对不同的硅片运动形式,计算了磨粒在硅片表面的运动轨迹;通过对磨粒在硅片表面上的运动轨迹分布的统计分析,得出了硅片在不同运动形式下的片内材料去除非均匀性.从硅片表面材料去除非均匀性方面,对几种抛光机的运动形式进行了比较,结果表明,弧形摆动式抛光机所产生的硅片内非均匀性最小.本文的研究为CMP机床的设计和使用中选择和优化运动参数提供了理论依据.
