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Indexed by:期刊论文
Date of Publication:2004-06-23
Journal:半导体技术
Included Journals:PKU、ISTIC、CSCD
Volume:29
Issue:6
Page Number:24-29,37
ISSN No.:1003-353X
Key Words:硅片;化学机械抛光;平坦化;终点检测
Abstract:化学机械抛光是硅片全局平坦化的核心技术,然而在实用阶段上,这项技术还受限于一些制造系统整合上的问题,其中有效的终点检测系统是影响抛光成效的重要关键.若未能有效地监测抛光运作,便无法避免硅片产生抛光过度或不足的缺陷.本文在介绍CMP机制与应用的基础上,系统分析了CMP终点检测技术的研究现状及存在的问题.
