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教授
博士生导师
硕士生导师
任职 : 国际磨粒技术学会（International Committee of Abrasive Technology, ICAT）委员，中国机械工程学会极端制造分会副主任、生产工程分会常务委员、微纳米制造技术分会常务委员，中国机械工程学会生产工程分会磨粒加工技术专业委员会副主任、切削加工专业委员会常委委员、精密工程与微纳技术专业委员会常委委员，中国机械工程学会特种加工分会超声加工技术委员会副主任，中国机械工程学会摩擦学分会微纳制造摩擦学专业委员会常务委员，中国机械工业金属切削刀具协会切削先进制造技术研究会常务理事、对外学术交流工作委员会副主任、切削先进制造技术研究会自动化加工技术与系统委员会副主任。
性别：男
毕业院校：西北工业大学
学位：博士
所在单位：机械工程学院
学科：机械制造及其自动化. 机械电子工程. 航空宇航制造工程
办公地点：机械工程学院7191
电子邮箱：kangrk@dlut.edu.cn
铜化学机械抛光材料去除机理研究
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论文类型：期刊论文
发表时间：2010-02-15
发表刊物：金刚石与磨料磨具工程
收录刊物：Scopus、PKU、ISTIC
卷号：30
期号：1
页面范围：5-9
ISSN号：1006-852X
关键字：化学机械抛光;硅片;材料去除机理
摘要：本文根据铜CMP过程中表面材料的磨损行为,建立了铜CMP时的材料去除率构成成分模型,并通过材料去除率实验,得出了各机械、化学及其交互作用所引起的材料去除率及其作用率:当np=nw=200 r/min时,有最佳材料去除率,此时单纯的机械作用率为9.2%;单纯的化学作用率为仅为2.1%,抛光垫的机械与化学交互作用率为5.08%;磨粒的机械与化学交互作用率为83.6%. 通过对实验结果进行分析,可得如下结论:硅片化学机械抛光中,一定的参数下有一个最优的抛光速度;在最优的速度下,机械与化学之间交互作用达到平衡,这时可获得最高的材料去除率;硅片化学机械抛光过程是一个多变的动态过程,仅仅通过增加机械作用或化学作用不能获得理想的材料去除效果.本文的研究结果可为进一步研究硅片CMP时的材料去除机理提供理论参考依据.