SiH_4浓度对混合气体Ar/SiH_4/H_2放电过程中粒子密度分布的影响
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Indexed by: Conference Paper
Date of Publication: 2013-08-15
Page Number: 1
Key Words: 粒子密度;Ar/SiH_4/H_2;SiH_4;微晶硅薄膜;放电过程;薄膜沉积;电子密度;混合气体;刻蚀作用;反应气体;
Abstract: 引言在利用Ar/SiH_4/H_2沉积微晶硅薄膜的过程中,SiH_4浓度是非常重要的参数,其大小决定薄膜的结构和沉积率。然而,在大气压下混合气体Ar/SiH_4/H_2沉积微晶硅薄膜的过程中,SiH_4浓度变化对放电过程中微晶硅薄膜沉积有重要影响的各种粒子密度分布的影响还不是完全了解。因此,本文研究SiH_4浓度变化对硅薄膜沉积产生影响的粒子(包括电子SiH_3、原子H等)密度在二维空间分布的影响。