Indexed by:Journal Article

Date of Publication:2006-01-15

Journal:材料导报

Included Journals:CSCD、ISTIC、PKU

Volume:20

Issue:1

Page Number:104-108

ISSN:1005-023X

Key Words:ZnO薄膜;p型掺杂;第一性原理;MOCVD;MBE

Abstract:ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族宽带隙半导体,具有很多优异的的光电性能.但一般制备出的ZnO薄膜材料均是n型,很难实现p型的掺杂.ZnO的p型掺杂是实现其光电器件应用的关键技术,也是目前ZnO研究的关键课题.目前在p型ZnO的掺杂理论和实验方面都有很大的进展,对此进行了详细的分析与论述,并且展望了p型ZnO薄膜制备的前景.