Release Time:2019-03-11  Hits:

Indexed by: Journal Article

Date of Publication: 2010-01-01

Journal: 材料研究学报

Included Journals: CSCD、ISTIC、PKU、EI、Scopus

Volume: 24

Issue: 6

Page Number: 592-596

ISSN: 1005-3093

Key Words: 无机非金属材料; 硅; 电子束熔炼; 分凝; 挥发

Abstract: 采用电子束熔炼工艺提纯了冶金级硅材料. 硅中重要杂质元素Al在制备铸锭中的分布不均匀,呈现出由底部到顶部、由边缘到中心的富集趋势.
   铸锭边缘部位的杂质Al含量最低,已经低于ICP-AES的探测极限(1*10~(-5)%). 对杂质Al的挥发去除过程进行了理论分析.
   由Langmuir方程和Henry定律导出了杂质Al的去除率与熔体表面温度、熔炼时间的关系式,该关系式表明杂质Al的去除率会随着熔体表面温度升高
   、熔炼时间延长而增加,其理论计算值与实测结果符合的较好