Hits:
First Author:Yi Tan
Disigner of the Invention:jiangdachuan,邹瑞洵,dongwei
Affilication of Author(s):材料科学与工程学院
Application Number:ZL201010242065.9
Pre One:一种降低电子束熔炼多晶硅能耗的装置与方法
Next One:一种冶金法从废浆料中回收Si和SiC的方法