Release Time:2022-10-19 Hits:
First Author: Yi Tan
Disigner of the Invention: 姜大川,邹瑞洵,董伟
Institution: 材料科学与工程学院
Application Number: ZL201010242065.9
Prev One:一种降低电子束熔炼多晶硅能耗的装置与方法
Next One:一种冶金法从废浆料中回收Si和SiC的方法