Current position: Home >> Scientific Research >> Patents

一种降低电子束熔炼多晶硅能耗的装置与方法

Release Time:2022-10-19  Hits:

First Author: 姜大川

Disigner of the Invention: 王登科,石爽,李鹏廷,Yi Tan

Institution: 材料科学与工程学院

Application Number: CN104528734A

Authorization Number: CN201410834688.3

Prev One:一种定向凝固造渣精炼提纯多晶硅的方法

Next One:采用电子束注入去除硅中杂质硼的方法