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First Author:Yi Tan
Disigner of the Invention:温书涛,袁涛,陈磊
Affilication of Author(s):材料科学与工程学院
Application Number:CN104418325A
Authorization number:CN201310380152.4
Pre One:一种电子束熔炼装置及利用该装置制备铌基超高温合金的方法
Next One:一种两步生长制备无孵化层微晶硅薄膜的方法