Current position: Home >> Scientific Research >> Patents

一种去除多晶硅中杂质磷的方法及装置

Release Time:2022-10-19  Hits:

First Author: Yi Tan

Disigner of the Invention: 李国斌,姜大川,张聪

Institution: 材料科学与工程学院

Application Number: CN101318655

Authorization Number: CN200810011949.6

Prev One:一种化学冶金提纯多晶硅的方法

Next One:一种微波等离子体炬制备高纯硅粉的方法