Current position: Home >> Scientific Research >> Patents

一种化学冶金提纯多晶硅的方法

Hits:

First Author:Yi Tan

Disigner of the Invention:jiangdachuan,李国斌,xufumin,刘艳娇,胡祖麒

Affilication of Author(s):材料科学与工程学院

Application Number:CN101311114

Authorization number:CN200810011266.0

Pre One:去除多晶硅中杂质磷和金属杂质的方法及装置

Next One:一种去除多晶硅中杂质磷的方法及装置