Hits:

Indexed by:会议论文

Date of Publication:2006-09-01

Volume:Vol.26

Page Number:5

Key Words:薄膜物理学;ZrO_2薄膜;磁控溅射;沉积温度;结构分析;表面形貌

Abstract:采用反应磁控溅射方法,在室温-550℃的沉积温度下,在Si(100)和玻璃基片上沉积了厚度在纳米量级的ZrO2 薄膜。通过高分辨电子显微镜、原子力显微镜和透射光谱分析,研究了沉积温度对ZrO2薄膜的相结构、表面形貌和折射率的影响。研究结果表明:沉积温度低于250℃时,ZrO2薄膜的结构完全呈非晶态,但250℃沉积的薄膜有比较高的致密度;随着沉积温度的升高,薄膜出现了明显的结晶现象,主要为单斜ZrO2相;沉积温度为450℃时,ZrO2薄膜晶化不完全,在晶粒堆砌处有非晶ZrO2相存在;沉积温度为550℃时,ZrO2薄膜完全晶化,在晶粒堆砌处有四方ZrO2相存在。此外,根据薄膜相结构和表面形貌的研究结果,探讨了沉积温度对薄膜生长行为的影响及其物理机制。