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Indexed by:期刊论文

Date of Publication:2008-12-01

Journal:物理学报

Included Journals:EI、PKU、ISTIC、CSCD、SCIE、Scopus

Volume:57

Issue:12

Page Number:7806-7813

ISSN No.:1000-3290

Key Words:密度泛函理论;电子结构;Be掺杂ZnO

Abstract:采用密度泛函理论结合投影缀加波方法,对Be掺杂导致ZnO禁带宽度增加的机理进行了研究.通过对掺杂前后电子能带结构、总态密度以及分态密度的计算和比较,发现导带底(CBM)是由Be 2s电子与Zn 4s电子共同控制;而BexZn1-xO价带顶 (VBM)始终由O 2p电子占据.随着掺杂量的增加,决定带隙宽度的CBM的位置上升,同时VBM的位置下降,从而导致了带隙的变宽,出现了蓝移现象.此外,Be掺杂会使晶胞发生压缩,这种压应变也是导致BexZn1-xO禁带宽度变宽的原因之一.