期刊论文

刘明

Liu, M (reprint author), Dalian Univ Technol, State Key Lab Mat Modificat Laser Ion & Electron, Dalian 116024, Peoples R China.

魏玮,曲盛薇,谷建峰,马春雨,张庆瑜

2008-11-01

无机材料学报

SCIE、EI、PKU、ISTIC、CSCD、Scopus

J

23

6

1096-1100

1000-324X

ZnO薄膜;反应磁控溅射;形貌分析;光学特性

采用反应射频磁控溅射方法,在Si(001)基片上制备了具有高c轴择优取向的ZnO薄膜.利用原子力显微镜、X射线衍射,透射光谱和室温光致荧光光谱等分析技术,研究了氧分压对薄膜的表面形貌和光学特性的影响.研究结果显示:0.04～0.23Pa的氧分压范围内,ZnO薄膜存在三个不同的生长模式,薄膜生长模式转变的临界氧分压分别位于0.04～0.08Pa和0.16～0.19Pa之间;在0.16Pa以下时,ZnO薄膜的表面岛呈+c取向的竹笋状生长;当氧分压＞0.19Pa时,薄膜的表面岛以-c取向生长为主;ZnO薄膜的折射率,光学带隙宽度以及PL光谱强度均随着氧分压的增大而增大,氧分压为0.19Pa时,薄膜的发光峰最窄,其半峰宽为88meV.