Release Time:2019-03-10  Hits:

Indexed by: Journal Article

Date of Publication: 2010-06-20

Journal: 功能材料

Included Journals: ISTIC、PKU

Volume: 41

Issue: z1

Page Number: 117-120

ISSN: 1001-9731

Key Words: 冶金级硅;电子束熔炼;钙;蒸发行为

Abstract: 通过双枪电子束熔炼炉熔炼冶金级硅,主要研究了在一定熔炼功率不同熔炼时间下,杂质Ca含量的变化及其蒸发行为,讨论了杂质Ca含量与Si剩余率的关系.实验结果表明,熔炼初期杂质Ca含量显著降低,随着熔炼时间的延长,下降趋势逐渐减缓.在硅熔体表面2133K温度下,杂质Ca的自由蒸发反应遵循一级反应速率方程.杂质Ca的总传质系数为2.64×10-5m/s,并且杂质Ca从熔体内部迁移到硅熔体/气相界面层是其蒸发过程的速率控制步骤.