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论文类型：期刊论文

发表时间：2018-07-17

发表刊物：电子元件与材料

卷号：37

期号：07

页面范围：1-4

ISSN号：1001-2028

关键字：二氧化硅;薄膜;无开裂;电射流沉积;沉积高度;扫描间距

摘要：针对Si O2薄膜制备过程中的龟裂难题,开发了基于电射流沉积的制备工艺,通过对沉积参数的调节,实现了Si O2薄膜的无裂纹可控制备。首先调制了由Si O2溶胶和Si O2颗粒混合而成Si O2悬浮液,其目的在于降低沉积薄膜中的内应力,从而减少薄膜表面裂纹。其次采用电射流沉积的方法,通过调控沉积高度和扫描间距,实现了薄膜的无裂纹制备。最后,通过SEM对薄膜表面形貌和截面形貌进行了表征。结果表明当沉积高度为4mm,扫描间距为1.4mm时,可以得到无裂纹Si O2薄膜。通过层层叠加的方式来制备Si O2薄膜,沉积12层得到了厚度为3.41μm的Si O2无开裂薄膜,相应单层沉积厚度为284nm。最后将所制备的薄膜在550℃下烧结成型。所开发的电射流沉积薄膜技术可用于高质量Si O2薄膜的制备,具有很好的发展前景。