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Indexed by:期刊论文

Date of Publication:2012-04-05

Journal:机械工程学报

Included Journals:EI、PKU、ISTIC、CSCD、Scopus

Volume:48

Issue:7

Page Number:180-185

ISSN No.:0577-6686

Key Words:电化学机械平坦化;弹流润滑;粗糙表面

Abstract:电化学机械平坦化(Electrochemical mechanical planarization,ECMP)技术被认为是最具发展潜力的低强度Cu/low-k表面低压力平坦化技术之一,抛光液流动和接触压力的分布是影响ECMP效率和精度的决定性因素.采用混合软弹流润滑模型研究带导电孔ECMP抛光垫表面的流动与接触行为.分析结果表明,对于所研究的抛光垫和晶圆位置关系,尽管宏观平均接触压力为6.895 kPa,但是真正影响Cu/low-k结构完整性的局部接触压力达到了近70 kPa.此外,导电孔的存在并不影响抛光液压力和接触压力的分布趋势,对晶圆的姿态影响也较小.因此,为了提高加ECMP加工效率和面型精度,一方面需要研究导电孔分布方式控制电化学反应速率,另一方面需要改进其他诸如抛光垫和抛光头的设计,提高接触压力的均匀性.所提出的关于ECMP抛光垫混合软弹流润滑行为研究方法和结论对ECMP技术的进一步发展具有指导意义.