大连理工大学主页平台管理系统夏晓川--中文主页-- 高耐压、低损耗的Si衬底Ga2O3 MOSFET器件制备研究

夏晓川

学位：博士
职称：副教授
学科：微电子学与固体电子学
所在单位：集成电路学院

教师拼音名称：xiaxiaochuan
硕士生导师
博士生导师
主要任职：集成电路学院副院长
其他任职：副院长
性别：男
毕业院校：吉林大学
所在单位：集成电路学院
办公地点：大连理工大学开发区校区信息楼211室
联系方式：0411-84707865
电子邮箱：xiaochuan@dlut.edu.cn

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标题：

高耐压、低损耗的Si衬底Ga2O3 MOSFET器件制备研究

点击次数：

负责人姓名：

柳阳

项目参与人员：

夏晓川,梁红伟,申人升

项目来源：

国家自然科学基金项目

项目子类：

面上项目

项目状态：

结题

项目来源单位：

国家自然科学基金委员会

项目性质：

纵向

项目批准号：

61774072

立项时间：

2017-08-17

开始日期：

2022-03-29

计划完成时间：

2021-12-31

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