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夏晓川
学位:博士
职称:副教授
学科:微电子学与固体电子学
所在单位:集成电路学院
教师拼音名称:
xiaxiaochuan
硕士生导师
博士生导师
主要任职:
集成电路学院副院长
其他任职:
副院长
性别:
男
毕业院校:
吉林大学
所在单位:
集成电路学院
办公地点:
大连理工大学开发区校区信息楼211室
联系方式:
0411-84707865
电子邮箱:
xiaochuan@dlut.edu.cn
专利
[1]在镓系异质半导体衬底上制备氧化镓膜的方法及氧化镓膜
[2]一种氧化镓外延膜的制备方法及氧化镓外延膜
[3]掺杂氧化镓膜的制备方法及掺杂氧化镓膜
[4]空穴导电特性氧化镓膜的制备方法及空穴导电特性氧化镓膜
[5]一种氮化镓位置灵敏辐射探测器及其制备方法
[6]一种用于高质量氧化物半导体材料制备的MOCVD加热盘
[7]一种带有紫外LED的手机
[8]一种基于SiC衬底的垂直结构GaN基紫外LED及其制备方法
[9]一种纵向短开启栅极沟道型HEMT器件及其制备方法
[10]一种用于提高GaN膜质量的蓝宝石图形衬底及制备方法
[11]一种基于氧化镓单晶的辐射探测器及其制备方法
[12]一种氧化镓外延膜的制备方法及氧化镓外延膜
[13]掺杂氧化镓膜的制备方法及掺杂氧化镓膜
[14]在镓系异质半导体衬底上制备氧化镓膜的方法及氧化镓膜
[15]p-ZnO和n-GaN组合的多层端发射激光器及制备方法
[16]p-ZnO和n-GaN组合的ZnO基端发射激光器及制备方法
[17]ZnO和GaN组合ZnO基端面发射激光器及其制备方法
[18]p型ZnO和n型GaN组合的ZnO基发光器件及其制备方法
[19]n型ZnO和p型GaN组合ZnO基垂直腔面发射激光器及制备方法
[20]p型ZnO和n型GaN组合ZnO基垂直腔面发射激光器及制备方法
共20条 1/1
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