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夏晓川
学位：博士
职称：副教授
学科：微电子学与固体电子学
所在单位：集成电路学院
教师拼音名称：
xiaxiaochuan
硕士生导师
博士生导师
主要任职：
集成电路学院副院长
其他任职：
副院长
性别：
男
毕业院校：
吉林大学
所在单位：
集成电路学院
办公地点：
大连理工大学开发区校区信息楼211室
联系方式：
0411-84707865
电子邮箱：
xiaochuan@dlut.edu.cn
科研项目
[1]应用于空间极端温度下耐辐照SiC/GaN集成射线探测系统的研制, 2020/01/01-2024/03/26, 结题
[2]应用于电梯内自调节照明/灭毒的可见/紫外LED集成光源的研发, 2020/04/08-2023/09/13, 结题
[3]氮化镓功率器件耐压特性研究, 2019/07/09, 在研
[4]极化诱导(Al)GaN基高效紫外LED的研制, 2016/07/19-2023/09/13, 结题
[5]耐辐照室温氮化镓一维位置灵敏带电粒子探测系统的研制, 2016/08/17, 结题
[6]耐高温耐辐照探测器定制、信号读出，以及性能特性摸索, 2016/08/01, 在研
[7]耐高温耐辐照氧化镓基宽带隙半导体中子探测器的研究, 2016/05/11, 结题
[8]耐高温耐辐照氧化镓基alpha粒子探测器的研究, 2014/09/01-2017/12/31, 结题
[9]耐高压硅基氧化镓场效应晶体管的研制, 2018/01/01-2023/09/13, 结题
[10]稀土掺杂发光材料温度依赖的发光性质研究, 2018/08/20-2023/09/13, 结题
[11]高耐压、低损耗的Si衬底Ga2O3 MOSFET器件制备研究, 2017/08/17, 结题
[12]大功率白光LED封装用玻璃荧光体的研究, 2017/09/04-2023/09/13, 结题
[13]长波长GaN基LED材料外延技术开发, 2017/07/29-2020/06/30, 结题
[14]基于2英寸蓝宝石衬底的大面积氮化硼薄膜制备, 2017/04/28-2020/06/30, 结题
[15]低应力硅基氮化镓功率器件外延技术研究, 2017/02/15-2020/06/30, 结题
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学位：博士
职称：副教授
学科：微电子学与固体电子学
所在单位：集成电路学院