夏晓川
  • 学位:博士
  • 职称:副教授
  • 学科:微电子学与固体电子学
  • 所在单位:集成电路学院
教师拼音名称:xiaxiaochuan
硕士生导师
博士生导师
主要任职:集成电路学院副院长
其他任职:副院长
性别:
毕业院校:吉林大学
所在单位:集成电路学院
办公地点:大连理工大学开发区校区信息楼211室
联系方式:0411-84707865
电子邮箱:xiaochuan@dlut.edu.cn
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标题:
As掺杂p型ZnO薄膜的制备
点击次数:
论文类型:
会议论文
页面范围:
306-307
关键字:
MOCVD方法;ZnO薄膜;砷掺杂
摘要:
采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法,在具有GaAs夹层的衬底上成功的制备出As掺杂p型ZnO薄膜。室温Hall测试结果显示,空穴浓度为2×1017cm-3;XPS测试结果显示,As原子以As-O键的形式存在于p—ZnO薄膜中;利用低温光致发光(PL)测试结果可计算出As受主能级位于距价带顶137 meV处。另外,采用GaAs夹层掺杂法,在n-Si衬底上制备出了p—ZnO:As/n—Si异质结器件,其I—V曲线呈良好的p—n结整流特性。
发表时间:
2010-10-25
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