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硅片激光弯曲成形的数值模拟与实验

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Indexed by:期刊论文

Date of Publication:2008-04-15

Journal:光学精密工程

Included Journals:EI、PKU、ISTIC、CSCD

Volume:16

Issue:4

Page Number:605-610

ISSN No.:1004-924X

Key Words:硅片;脉冲激光;弯曲成形;数值模拟

Abstract:介绍了一种利用脉冲激光塑性化弯曲单晶硅片的新方法.在分析和描述光脉冲时空特性的基础上,运用有限元分析软件ANSYS对硅片弯曲过程进行了建模仿真,得到了脉冲激光弯曲过程中温度场与应力应变的仿真结果.描述了脉冲激光作用过程中温度场与应力应变的周期性瞬间变化特征,指出了脆性材料硅片的脉冲激光弯曲机理不属于简单意义上的温度梯度机理或屈曲机理,而是两种机理共同作用的结果.通过6次扫描实验,实现了对硅片的有效弯曲,弯曲角度达6.5°,仿真结果与验证性实验相符.

Pre One:Millisecond pulse laser bending of silicon

Next One:KDP晶体磨削表面缺陷及损伤分析