Release Time:2019-03-10  Hits:

Indexed by: Journal Article

Date of Publication: 2008-03-15

Journal: 中国激光

Included Journals: CSCD、ISTIC、PKU、EI

Volume: 35

Issue: 3

Page Number: 462-465

ISSN: 0258-7025

Key Words: 激光技术;等离子体;数值模拟;脉冲激光烧蚀;晶体Ge

Abstract: 建立了一维半导体Ge激光烧蚀模型,对不同功率密度的紫外激光烧蚀半导体Ge的过程进行了模拟,并对计算结果进行了分析,得到激光功率密度对烧蚀过程以及蒸气膨胀动力学特性的影响.结果表明,激光功率密度的变化对烧蚀过程影响非常大.照射的激光功率密度越大,靶的表面温度越高,蒸发深度、烧蚀蒸气温度和膨胀的速度、相应蒸气膨胀的空间尺度也越大,且等离子体屏蔽现象出现得越早.在给定的烧蚀条件下,等离子体屏蔽的阈值在1×108～1.5×108 W/cm2之间.