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个人信息Personal Information
副教授
硕士生导师
性别：女
毕业院校：北京大学
学位：博士
所在单位：集成电路学院
学科：微电子学与固体电子学
办公地点：大连理工大学开发区校区信息楼211-1
电子邮箱：hqzhang@dlut.edu.cn
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ZnO微米刺球的CVD法生长及其在压电应力传感器中的应用
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论文类型：期刊论文
发表时间：2013-09-15
发表刊物：人工晶体学报
收录刊物：EI、PKU、ISTIC、CSCD、Scopus
卷号：42
期号：9
页面范围：1746-1749
ISSN号：1000-985X
关键字：氧化锌;微米刺球;化学气相沉积;压电应力传感器;开关比
摘要：利用化学气相沉积(CVD)方法生长出一种新颖的氧化锌(ZnO)微米刺球状结构,并使用该结构制备出一种新型压电应力传感器件.使用半导体特性分析系统(Keithley 4200)对器件特性进行测试,结果表明该种器件对所施加的应力高度敏感,开关比高达约60,比目前多数ZnO基压电应力传感器件高出数倍,在应力检测和机电开关等领域有很好的应用前景.