教授 博士生导师 硕士生导师
主要任职: 材料科学与工程学院副院长
性别: 男
毕业院校: 大连理工大学
学位: 博士
所在单位: 材料科学与工程学院
学科: 材料学
电子邮箱: zhaoning@dlut.edu.cn
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论文类型: 期刊论文
发表时间: 2016-06-01
发表刊物: 中国有色金属学报(英文版)
收录刊物: ISTIC、CSCD、SCIE、EI
卷号: 26
期号: 6
页面范围: 1663-1669
ISSN号: 1003-6326
关键字: Sn-3.0Ag-0.5Cu;晶圆级芯片尺寸封装;焊点;跌落失效模式
摘要: 依据 JEDEC 标准采用板级跌落实验研究晶圆级芯片尺寸封装 Sn?3.0Ag?0.5Cu 焊点的跌落失效模式。发现存在六种失效模式,即发生在印刷电路板(PCB)侧的短 FR-4裂纹和完全 FR-4裂纹,以及发生在芯片侧的再布线层(RDL)与 Cu 凸点化层开裂、RDL 断裂、体钎料裂纹及体钎料与界面金属间化合物(IMC)混合裂纹。对于最外侧的焊点,由于 PCB 变形量较大且 FR-4介质层强度较低,易于形成完全 FR-4裂纹,其可吸收较大的跌落冲击能量,从而避免了其它失效模式的发生。对于内侧的焊点,先形成的短 FR-4裂纹对跌落冲击能量的吸收有限,导致在芯片侧发生失效。